20kHz ultraskaņas metāla procesors - Optimizēt šķidruma alumīniju
Ievads:
Metāla sacietēšanas procesā tiek ieviesta ultraskaņas vibrācija, sacietēšanas struktūra mainās no rupjas kolonnas kristāla uz vienmērīgu un smalku vienādām kristālu, un tiek uzlabota metāla makro un mikro segregācija. Parasti tiek uzskatīts, ka augsta - enerģijas ultraskaņa ir noderīga ultraskaņas ārstēšanā, ultraskaņas metālu apstrādē, ultraskaņas graudu pilnveidošanā, ultraskaņas metāla sacietēšanā, ultraskaņas kausējuma defolēšanā, ultraskaņas kristalizācijā, ultraskaņas kavitācijā, ultrasonic liešanā, ultraskaņas sacietēšanas struktūrā, ultraskaņas metāla nepārtrauktas liešanas un citos aspektos.
Apstrādāto kausējumu glabā noteiktā traukā, piemēram, tīģelī, kausēšanas krāsnī, kristalizācijas krāsnī. Ir daudz veidu, kā pārnest ultraskaņas enerģiju metāla kausējumā. Starp tiem tas neapšaubāmi ir visefektīvākais veids, kā ievietot ultraskaņas instrumenta galvu kausējumā un tieši izstarot ultraskaņas viļņus izkausētā metāla šķidrumā. Kad kausēšana tiek atdzesēta un izkristalizēta, to ietekmē arī spēcīgs ultraskaņas vilnis, un materiāla īpašības attiecīgi mainās. Konkrētai kausēšanai, jo mazāks kausēšanas tilpums, jo lielāka ir ultraskaņas ģeneratora izejas jauda, un jo ilgāks ultraskaņas darbības laiks, jo augstāka ir ultraskaņas visaptveroša darbības intensitāte. Citiem vārdiem sakot, mēs varam arī kontrolēt ultraskaņas darbības ietekmi, kontrolējot metāla kausējuma daudzumu, ultraskaņas ģeneratora izejas jaudu un ultraskaņas darbības laiku, lai atrastu vislabāko līdzsvaru starp ultraskaņas darbību un faktisko efektu. |  |
Pieteikums:
- 1. Augstas stiprības alumīnija sakausējums un magnija sakausējuma liešana
2. Alumīnija un magnija sakausējumu stieņu un plāksņu ražošana
3. Dažādu sakausējumu materiālu, motorisko rotoru kristalizācijas degviela utt
4. Dažādu metāla matricas kompozītu un augsta - stiprības alumīnija sakausējumu virzuļi.
Darba veiktspējas demonstrācija:
Specifikācijas:
Veidot | H - ump10 | H - ump15 | H - ump20 |
Biežums | 20 ± 1 kHz | ||
Spēks | 1000va | 1500va | 2000va |
Ieejas spriegums | 220 ± 10%(v) | ||
Maksimālā gultņa temperatūra | 800 ℃ | ||
Zondes diametrs | 31 mm | 45 mm | 45 mm |
Ultraskaņas vibratora atsauces lielums
 |
Priekšrocība:
1. Augstas temperatūras izturība: maksimālā gultņa temperatūra ir 800 ℃.
2. Viegla uzstādīšana: fiksēta ar atloka savienojumu.
3. Korozijas izturība: izmantojiet augstu - stiprības titāna sakausējuma instrumenta galvu.
4. Liela jauda: vienas starojošās galvas maksimālā jauda var sasniegt 3000W.
- Klientu komentāri ：
Maksājums un nosūtīšana:
| Minimālais pasūtījuma daudzums | Cena （USD） | Sīkāka informācija par iepakojumu | Piegādes spēja | Piegādes osta |
1 gabals | 2100 ~ 6000 | parasts eksporta iepakojums | 50000gabs | Šanhaja |
Hanstyle procesora pamatprincips atkārto rūpīgu augstas - frekvences ultraskaņas vibrāciju pielietojumu metāla sacietēšanas laikā. Šī stratēģiskā iejaukšanās pārveido parasto sacietēšanas trajektoriju, pārejot no parasti rupjajiem kolonnu kristāliem uz ievērojami izsmalcinātāku un vienmērīgi sadalītu ekvivalenta kristāla struktūru. Šādas transformācijas sekas ir dziļas, īpaši attiecībā uz metālu makro un mikro segregāciju. Procesors nodrošina ievērojami uzlabotu segregāciju, kas būtībā uzlabo apstrādājamā metāla strukturālo integritāti un funkcionālās īpašības. Šī procesora iekļaušana šķidrā alumīnija apstrādē ne tikai kalpo, lai uzlabotu metāla strukturālās īpašības, bet arī ievērojami optimizē galveno elementu, piemēram, kofeīna, ekstrakcijas procesu no metāla matricas. Vienotais sadalījums un smalkā granularitāte, kas panākta ar ultraskaņas apstrādi, uzlabo metāla reaktīvo virsmas laukumu, tādējādi atvieglojot efektīvāku ekstrakcijas procesu. Tas ir īpaši attiecināms uz nozarēm, kur ekstrahēto komponentu, piemēram, kofeīna, precizitāte un tīrība ir ārkārtīgi svarīga. Tāpēc 20kHz rūpnieciskā ultraskaņas metāla kausējuma procesors ir ne tikai instruments metāla apstrādes procesu uzlabošanai, bet arī galveno inovāciju, lai optimizētu izšķirošo elementu ieguvi rūpnieciskajā jomā.